非晶形三氧化鎢離子感測場效電晶體之裝置與製造方法(美國專利)a-WO3-GATE ISFET DEVICES AND METHOD OF MAKING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

09/533,591

專利證號

US 6,740,911 B1

專利獲證名稱

非晶形三氧化鎢離子感測場效電晶體之裝置與製造方法(美國專利)a-WO3-GATE ISFET DEVICES AND METHOD OF MAKING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2004/05/25

技術說明

本發明係以射頻濺鍍法製備非晶形三氧化鎢薄膜之場效 型離子感測元件，此種以非晶形三氧化鎢為感測材料的 場效型離子感測元件，其結構為三氧化鎢/二氧化矽雙層 閘極結構，且在水溶液中有良好的感測靈敏度，特別是 在酸性緩衝溶液中有極佳的感測靈敏度，亦即在pH=l至 pH=5的量測範圍內，以非晶形三氧化鎢為感測膜的感測 元件，其感測靈敏度為50~58mV/pH，且感測線性度佳。 因此，在環保意識高漲之今日，以射頻濺鍍法製備的非 晶形三氧化鎢離子感測場效電晶體，於水污染之檢測 中，具有極高的可行性與應用性。 Disclosed is an ISFET comprising a H+ -sensing membrane consisting of RF- sputtering a-WO3/SiO2-gate ISFET of the present invention is very sensitive in aqueous solution, and particularly in acidic aqueous solution. The sensitivity of the present ISFET ranges from 50 to 58 mV/pH. In addition, the disclosed ISFET has high linearity. Accordingly, the disclosed ISFET can be used to detect effluent.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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