發光二極體之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103100793

專利證號

I 609503

專利獲證名稱

發光二極體之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

淡江大學學校財團法人淡江大學

獲證日期

2017/12/11

技術說明

近年來，氮化鎵材料為發光二極體元件中極為重要之材料，氮化鎵材料目前主要成長於藍寶石基板上，但藍寶石基板導電、導熱性不佳，因此為了解決此一問題，置換基板來製作垂直式的發光二極體結構為目前相當重要的技術。目前一般業界使用雷射剝離技術來進行基板置換，此技術乃運用準分子雷射使氮化鎵薄膜與藍寶石基板產生化學反應進而分離，但雷射剝離設備昂貴導致成本過高，且高溫環境容易破壞磊晶層，此外還有無法大面積剝離等種種的缺點，故許多學者皆想盡辦法提出能夠取代雷射剝離的新製程。目前較新被提出的方法多為化學性濕式蝕刻剝離，此一技術主要為添加一犧牲層於藍寶石基板於氮化鎵薄膜間，等到完成氮化鎵發光二極體結構之後再對該犧牲層進行化學性蝕刻，得以分離氮化鎵薄膜與藍寶石基板。此一技術雖擁有成本低且能大量量產的優點，但他仍然需要完成新基板的接合之後才能進行舊基板的蝕刻分離，並且製程時間長容易造成磊晶層的破壞。是以本專利用新式的機械剝離製程來取代之。 This project aims at technique of mechanical lift-off to get rid of sapphire substrate, whose electric conductivity and thermal dissipation are not good enough, in order to produce new elements of thin-GaN vertical LED. We could apply this technique on the one hand to replace the commonly used method of laser lift-off to achieve the production goal of low-cost, large-scale and acutely fast fabrication. 　　On the other hand, we can further avoid the eternal damage of the surface of GaN thin film from laser with high energy when applying laser lift-off which will lead to the difficulty of subsequent process and the problems of lighting-efficiency reduction. Therefore, we expect that this research can not only develop new fabrication technique of thin-GaN vertical LED but also combine the technique of mechanical lift-off with businesses to provide the best option for future LED production.

備註

本部(發文號1110013673)同意貴校111年3月9日校研字第1110001930號函申請終止維護專利。

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