多階程式化一相變化記憶胞的方法及相變化記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097124699

專利證號

I 379300

專利獲證名稱

多階程式化一相變化記憶胞的方法及相變化記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2012/12/11

技術說明

本發明提供一種程式化一相變化記憶胞的方法及一種相變化記憶體，可以提高操作效率。相變化記憶體包含複數相變化記憶胞及一寫入電路。每一相變化記憶胞包括一第一電極、一相變化材料層及一第二電極，相變化材料層與第一電極的接觸面積小於與第二電極的接觸面積。寫入電路經由相變化記憶胞中被選定的一者的第一及第二電極，施加一設定電流脈衝到相變化材料層，及施加一重設定壓脈衝到相變化材料層，其中，重設電壓脈衝使第一電極的電壓減去第二電極的電壓所得到的電壓差與相變化材料層的席貝克係數異號。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址