垂直式有機電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/675,140

專利證號

US 7,692,269 B2

專利獲證名稱

垂直式有機電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2010/04/06

技術說明

有鑑於一般有機場效應電晶體難以縮小源極與汲極之間距離。尤其是很難在有機半導體上以微影蝕刻技術 製備次微米及之通道。因此，本發明提供一種垂直式有機電晶體。載子經過的路徑距離將簡單的由膜厚所 決定。此種結構之有機電晶體具有三個電極，分別稱為射極、柵極與集極。射極是載子注入之電極，而集 極是收集可通過閘極到集極之電極。操作原理係以柵極與集極之電壓來調變有機層中電位之分佈， 進而達 到以柵極電壓調變集極電流之功能。具有許多孔洞之閘極製作的方式是使用旋轉塗佈上之聚苯乙烯球做為 蒸鍍光罩。並可以使用超音波震盪去除聚苯乙烯球。因此整個元件製程中沒有任何一個步驟需要複雜之半 導體微影蝕刻技術。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址