金屬連接線壓印鑲嵌結構之製造IMPRINTING-DAMASCENE PROCESS FOR METAL INTERCONNECTION

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/208,624

專利證號

US 7,214,611 B2

專利獲證名稱

金屬連接線壓印鑲嵌結構之製造IMPRINTING-DAMASCENE PROCESS FOR METAL INTERCONNECTION

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2007/05/08

技術說明

我們提出一個應用於極大型積體電路金屬連線之金 屬鑲嵌製作之新技術發明，先利用電子束微影與無 電極電鍍的方式製作奈米金屬導線，再將金屬導線 轉壓印入低介電常數的材料中，以形成金屬鑲嵌導 線。此項簡單的金屬轉印技術發明，在未來傳統化 學機械研磨金屬鑲嵌製作方技術達到瓶頸時，將可 成為解決方案。此外，本發明亦適用於可曲式電子 元件技術之金屬導線製作製程。

備註

本部(收文號1061006743)同意該校106年11月15日清智財字第1069007513號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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