一種以鎳/銅金屬誘導橫向成長多晶矽薄膜的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

南韓

專利申請案號

10-2003-0026281

專利證號

10-0583512

專利獲證名稱

一種以鎳/銅金屬誘導橫向成長多晶矽薄膜的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2006/05/18

技術說明

一種利用鎳/銅金屬誘導成長多晶矽薄膜的方法

備註

本部(收文號1100033534)同意該校110年6月9日校研發字第1100036312號函申請終止維護專利(台大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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