石墨烯光電能量感測器及使用其之光電能量感測方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103145427

專利證號

I 509230

專利獲證名稱

石墨烯光電能量感測器及使用其之光電能量感測方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2015/11/21

技術說明

本發明係有關於一種零能隙單原子層石墨烯半導體薄膜電磁感測器，因為薄膜內電子和電洞受外加電磁能量作用而改變傳輸路徑，造成感測器電阻相對增加，而於相同電壓下電流相對減小，並利用其電阻增加量及電流減小量來感測外加之電磁能量，又因為低能量(低頻)和高能量(高頻)電磁波(Electromagnetic wave) 皆可激發零能隙單原子層石墨烯半導體內之電荷載子，而可以感測紅外線(Infrared)、可見光、紫外線及其他能量之電磁波。 The present invention provides electromagnetic sensors made of zero-energy-gap monolayer graphene, in which electrons and holes interact with external electromagnetic wave and change their charge transport, resulting in increase in electrical resistance and decrease in electrical current with the same applied bias voltage. The resistance and current changes are measured as sensor’s output signals in relation to the electromagnetic wave. Because both low energy (low frequency) and high energy (high frequency) electromagnetic wave can excite charge carriers in zero-energy-gap graphene, electromagnetic wave of a wide range of frequency including, for example, infra-red, visible light, ultraviolet light can be detected.

備註

本部(收文號1101100521)同意該校110年3月2日成大產創字第1101100521號函申請終止維護專利(成大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

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