薄膜型表面聲波元件及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093114861

專利證號

I249135

專利獲證名稱

薄膜型表面聲波元件及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2006/02/11

技術說明

一種薄膜型表面聲波元件及其製作方法，其結構係依序由一基板、GaN壓電薄膜、AIN壓電 薄膜以及指差電極所組成；其中該基板之頂面利用一氣相或物理沈之技術，將一GaN壓電薄 膜沈積結合於基板上，並將一AIN壓電薄膜以同樣方式沈積結合於GaN壓電薄膜之頂面，並 於GaN壓電薄膜之頂面沈積結合一指差電極，即完成本件之薄膜型表面聲波元件及其製作方 法。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作暨專利技轉中心

連絡電話

(03)2651830

網址