砷化鎵化合物半導體元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091108055

專利證號

I 187051

專利獲證名稱

砷化鎵化合物半導體元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2003/09/01

技術說明

一種砷化鎵化合物半導體元件，此砷化鎵化合物半導體元件包括一場效電晶體與一保護 層。且此保護層係設置於場效電晶體之一表面上，以保護此場效電晶體的主動區表面。其 中此場效電晶體可為高電子遷移率電晶體或是虛擬通道高電子遷移率電晶體，而保護層係 使用低介電常數材質並使用旋轉塗佈的方式所形成，其材質可為苯並環丁烯。 A GaAs semiconductor device comprising a FET (field effect transistor), and a low dielectric constant passivation. The passivation protects the surface of the active area of the FET under the FET. The FET is a high electron mobility transistor or a pseudomorphic high electron mobility transistor. The passivation is formed by spin coating and made of a low dielectric constant compound. The low dielectric constant compound is Benzocyclobutene. Advantages are a simple manufacturing process, fewer surface defects, and improved device performance. Therefore, a superior device is provided at a reduced production cost.

備註

本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央) 本案發明人為詹益仁、邱顯欽、楊世丞、葉宗容等4人

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

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