半導體裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

108114602

專利證號

I 691078

專利獲證名稱

半導體裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2020/04/11

技術說明

利用 Landau– Khalatnikov方程式與3D電腦設計模擬器，開發具有7奈米節點的負電容場效電晶體(NC-FET)。我們提出擁有雙層鐵電及二氧化鉿層的新型NC-FET。此元件在次臨界電壓區域，有明顯的電壓增益。這效果可以有效降低次臨界電壓擺幅(SS)，並且在不增加截止電流的情況下，降低臨界電壓。我們將NC-FET設計組成靜態隨機存取記憶體(SRAM)，模擬其靜態噪聲容限(SNM)，可以看出在修改SS和臨界電壓後有良好的特性。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址