摻碳氮化矽薄膜及其製造方法與裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101120340

專利證號

I 449802

專利獲證名稱

摻碳氮化矽薄膜及其製造方法與裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/08/21

技術說明

以電漿氣相沉積低介電摻碳氮化矽薄膜之形成方法 我們利用單一種來源的無氧前驅物(含有矽、碳和氮元素)於電漿輔助化學氣相沉積系統下， 製備低介電摻碳氮化矽薄膜於半導體基板上，該製程使用氬氣作為載流氣體在低電漿功率密度以及廣泛的基材溫度環境下進行沉積,其摻碳氮化矽薄膜具有較低的介電常數以及較少的電荷缺陷與電漿損害， 可適用於半導體製程上的蝕刻終止層與擴散阻障層，另外，此薄膜亦具有良好的機械強度與介電強度。 Low-k carbon-doped silicon nitride thin films are fabricated by plasma-enhanced chemical vapor deposition reactor with a semiconductor substrate, using a single-source oxygen-free precursor (containing Si, C, and N elements) and carrier gas at low plasma power density and wide substrate temperatures. The carbon-doped silicon nitride films have lower dielectric, few charged defects and damage for use as the etch stop and diffusion barrier layer for semiconductor applications. The carbon-doped silicon nitride films also exhibit excellent mechanical and dielectric breakdown strength.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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