薄膜電阻的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

108121113

專利證號

I 708856

專利獲證名稱

薄膜電阻的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2020/11/01

技術說明

一種薄膜電阻的製造方法，用以解決習知薄膜電阻的電阻率難以提升的問題。係包含：將數種金屬元素以同時且同功率之氣相沉積方法形成一合金薄膜於一基板上，該數種金屬元素為第五週期以上之高週期元素，各該金屬元素在該合金薄膜中之百分比含量係一元素比例，該數個元素比例彼此之間的差距不大於10％。

備註

本會(收文號1120039878)同意該校112年6月28日中產營字第1121400592號函申請終止維護專利(國立中山大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址