奈米級鍺金屬結構的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097101682

專利證號

I 352686

專利獲證名稱

奈米級鍺金屬結構的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2011/11/21

技術說明

本發明提出透過矽基板上的圖形定義結合鍺半導體材料的選擇性磊晶，有效的成長出長程有序且均勻性一致的自組裝鍺島狀物，此有力的結合勢必讓矽基板上形成鍺量子點的發明形成一大趨勢。本發明發現在特殊尺寸氧化層(SiO2)開口中的矽基板上，鍺原子會有條理地以自組裝量子點的形式聚集於氧化層與矽基板邊緣，這種特有的現象主要是因為矽基板與氧化層膨脹係數不同，導致矽基板與氧化層周圍有張應力(Tensile Stress)產生形成應變(Strain)，造成鍺原子聚集於此區域。本發明利用此特性設計不同尺寸大小的氧化層開口，以改變氧化層與矽基板邊緣的應力場分布，主要是為了能在經圖形定義過後的矽基板上，製造出長程有序的自組裝鍺奈米結構，如鍺奈米點、鍺奈米盤以及鍺奈米環等。 Manufacturing methods for nano scale Ge include: Form dielectric layer on the substrate surface, then etch the dielectric layer to form openings of three different dimensions, then use chemical vapor deposition process to deposit Ge metal layer to cover the substrate, dielectric layer and the openings; then on the opening of three different dimensions, nano-dot, nano-disk and nano-ring are formed.

備註

本部(收文號1080079312)同意該院108年12月11日國研授半導體企院字第1081301803號通報專利終止維護案。

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