長晶爐之氣流導引裝置GAS FLOW GUIDING DEVICE FOR USE IN CRYSTAL-GROWING FURNACE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/958,469

專利證號

US 8,926,751 B2

專利獲證名稱

長晶爐之氣流導引裝置GAS FLOW GUIDING DEVICE FOR USE IN CRYSTAL-GROWING FURNACE

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2015/01/06

技術說明

晶體內若含有雜質濃度過高，將不利於晶體品質。既有技術中晶體生長時控制雜質方法為提高原料純度或隔絕雜質融入熔湯，本技術係基於熱流理論基礎，以數值模擬方法求解並瞭解長晶爐體熱場特性，與雜質產生與傳輸機制。部分熔湯內雜質受熱會從自由表面（熔湯與氣體界面）氣化，透過熱力平衡原理，可於長晶爐體內自由液面上方增設一碟狀或帶狀之導流裝置，此導流裝置形狀可視坩堝大小調整，並加速熔湯氣化雜質-氣體混合氣體流出爐體，來降低與控制雜質濃度。

備註

本會(收文號1110032263)回應該校111年6月6日中大研產字第1111400618號函申請終止維護專利(國立中央大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址