製備奈米柱之氧化鋁模板、氧化鋁模板之製備方法及奈米柱之製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100109126

專利證號

I 461552

專利獲證名稱

製備奈米柱之氧化鋁模板、氧化鋁模板之製備方法及奈米柱之製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

南臺學校財團法人南臺科技大學

獲證日期

2014/11/21

技術說明

本技術利用圖案化的導電金屬底材，解決陽極氧化鋁(Anodic Aluminum oxide, AAO)阻障層的殘留問題，使AAO模板內可輕易電鍍成長金屬奈米柱。陽極氧化處理技術為一種電化學蝕刻反應，若將鋁浸泡於合適的酸性溶液中加上電場輔助，可形成有如蜂巢式結構的六角形單胞與垂直於基板面向的筆直孔洞，但孔洞底部會有不導電阻障層(barrier layer)，要利用AAO作為模板成長奈米柱電極必須將阻障層去除。然而在去除阻障層同時往往造成AAO剝落或導電底材氧化問題，例如當使用惰性金屬如鎳作為AAO之導電底材時，在過蝕刻(over etch)去除阻障層時會因惰性金屬不易被氧化而使AAO向兩側蝕刻，造成AAO因底切(undercutting)而剝離。當使用活性金屬如鈦作為陽極氧化之導電底材時，雖然過蝕刻不會造成AAO剝離，但活性金屬會氧化生成不導電氧化物，造成後續電鍍困難。本發明利用同時具有活性金屬和惰性金屬的圖案化導電層進行AAO，藉由AAO在活性金屬上的高附著性避免過蝕刻去除阻障層時的剝離現象。 This invention use patterned conductive layer to eliminate the delamination of AAO templates as etching the barrier layer, which makes the electroplating of metal nanorod arrays easily.

備註

本會(收文號1110034485)同意該校111年6月14日南科大研產字第1110006961號函申請終止維護專利(南臺科技大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展暨產學合作處

連絡電話

06-2531841

網址