一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法ETCHING METHOD FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/896515

專利證號

US 7,888,270 B2

專利獲證名稱

一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法ETCHING METHOD FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2011/02/15

技術說明

於氮化鎵模板上形成一層介電層，利用曝光、顯影、蝕刻製程使該介電層形成條狀或點狀之圖形，以該介 電層作為後續氮化鎵側向成長（Epitaxy Lateral Overgrowth）之遮罩，在其上方以成長氮化鎵厚膜，接 著以濕蝕刻方式將氮化鎵模板之介電層移除，並蝕刻介電層上方之氮化鎵形成特殊晶面，最後使氮化鎵厚 膜和原始基板分離。

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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