III族氮化物相關元件電極之非熱合金化歐姆接觸結構及製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094129334

專利證號

I257663

專利獲證名稱

III族氮化物相關元件電極之非熱合金化歐姆接觸結構及製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立彰化師範大學

獲證日期

2006/07/01

技術說明

我們提出一種III族氮化物相關之光電與微電子元件的非熱合金化歐姆接觸電極 先進製程技 術，本發明是在III族氮化物材料上成長一層特定之披覆層，由於III族氮化物 材料有壓電極 化現象會與特定披覆層在界面處形成二維電洞(子)氣，因此在披覆層進行蝕刻U 字井通道至二 維電洞(子)氣，接著再沈積特定之歐姆接觸電極材料，當加上電壓導通時載子 會直接經由U字 井通道抵達界面處的二維電洞(子)氣通道並直接注入披覆層下方之半導體層形 成較低之特徵 接觸電阻。藉由這種增加披覆層與掘入式的製程可獲得優良的歐姆接觸，此種 技術將可應用 於III族氮化物相關之發光、感光與微波等元件的非熱合金化歐姆接觸電極製程 上，例如：紅 外光、可見光和紫外光等波段發光二極體(Light emitting diodes 簡稱LED)元 件和雷射二極 體元件、光檢測計、微波元件、太陽能電池和蕭特基二極體。 Nonalloyed ohmic contacts technology in the fabrication of electrodes of III- nitride-relateed devices

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

04-7232105轉1858

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