高電漿密度離子源裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

107144308

專利證號

I 719368

專利獲證名稱

高電漿密度離子源裝置

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2021/02/21

技術說明

一種高電漿密度離子源裝置，係包括一水冷式外加封閉磁場、一感應耦合天線、一水冷式高壓射頻真空引入、一石英隔離環及一頂件所構成，可於一真空中有效增加薄膜化合能力。藉此，本裝置簡單、無多孔電極及中和器，可增加電漿密度達1010 cm-3以上，應用本裝置於濺鍍系統及基板電漿前處理，可產生高能離子束，增加鍍膜之沉積能量及粒子反應性。　

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址