高電子遷移率電晶體及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098146534

專利證號

I 404209

專利獲證名稱

高電子遷移率電晶體及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2013/08/01

技術說明

本發明為利用(InAs)m/(InxGa1-xAs)n超晶格結構為元件通道來製作一個Lg ≤ 0.35μm的高電子遷移率電晶體HEMT元件，由於利用小於薄膜磊晶的關鍵厚度，週期性的堆疊砷化銦與砷化銦鎵材料，來達到通道層富含銦成分，提升電子的遷移率、並降低其物理的雜亂排序碰撞、降低其有效電子質量，因此可以獲得低噪音特性，當T-型閘極線寬0.35 μm之元件特性可以媲美奈米尺度元件效能，有效擺脫受限於電子束微影系統閘極定義，並可利用此電晶體應用於LNA 微波單石積體電路的製作。 In this invention, a Lg ≤ 0.35 μm HEMT was fabricated with superlattice-structure (InAs)m/(InxGa1-xAs)n. As the thickness epitaxial layer is less than a critical thickness, no misfit dislocations are formed between layers. As a result, the increase of indium content can be achieved to improve the electron mobility and decrease the effective electron mass. A low noise figure can be attained using superlattice channel. The device performance with 0.35 μm can comparable to the nano-gate transistor. For mass production, the fabrication of such device can be defined the gate length using optical photolithography instead of electron-beam system. The device show great potential for LNA MMICs application.

備註

本部(收文號1100007424)同意該校110年1月29日交大研產學字第1100002855號函申請同意專利權讓與

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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