Method of Irradiating Ultraviolet Light on Silicon Substrate Surface for Improving Quality of Native Oxide Layer and Apparatus Using the Same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

15/630,110

專利證號

US 10,026,620 B1

專利獲證名稱

Method of Irradiating Ultraviolet Light on Silicon Substrate Surface for Improving Quality of Native Oxide Layer and Apparatus Using the Same

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2018/07/17

技術說明

一種以紫外光照射提高矽基表面原生氧化層品質之快速、低成本裝置與方法，本發明係以深紫外光照射輔助矽基材表面原生氧化層之成長，有效改善矽基材表面之原生氧化層品質，可大幅降低橫截面樣品在表面處理上之困難，並可提高樣品生命期與可靠度，以及提高掃描電容顯微術（scanning capacitance microscopy, SCM）之量測再現性。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址