形成一圖形化導電薄膜之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106114379

專利證號

I 622668

專利獲證名稱

形成一圖形化導電薄膜之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣師範大學

獲證日期

2018/05/01

技術說明

隨著具有人機介面功能的各項穿戴裝置逐漸被開發出來且進入市場，傳統氧化铟锡(ITO)製做透明導電薄膜因為在受到衝撞及彎曲時會裂開並降低導電性能，因此產品的應用上受到限制。因此包括金屬網格(Metal Mesh)、銀奈米絲(Silver Nanowires)、奈米碳管(Carbon Nanotube)、石墨烯(Graphene)等材料，均被拿來開發當做取代ITO之透明導電材料。本發明係關於一種形成一圖形化導電薄膜之方法，包含以下步驟：於一基板上塗佈一水溶性遮罩；將分散於一非水溶性溶劑之一奈米碳材均勻被覆於該基板及該水溶性遮罩上；利用一水性清洗劑將該基板上之該水溶性遮罩移除，以使該奈米碳材形成一圖形；及利用該奈米碳材之一導電性，電鍍一金屬材料於該奈米碳材上以形成一金屬層，以形成該圖形化導電薄膜。 A method of forming a patterned conductive film is provided. The patterned conductive film comprises the following steps: coating a water-soluble mask on a substrate; evenly coating a carbon nanomaterial dispersed in a non-water-soluble solvent on the substrate and the water-soluble mask; removing the water-soluble mask on the substrate with a water-based cleaning agent to make the carbon nanomaterial form a pattern; and electroplating a metal material on the carbon nanomaterial to form a metal layer by utilizing the conductivity of the carbon nanomaterial to form the patterned conductive film.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

77341329

網址