石墨烯薄膜製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102137005

專利證號

I 592509

專利獲證名稱

石墨烯薄膜製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2017/07/21

技術說明

此發明為一種石墨烯薄膜的製造方法，其包括以下步驟：將一基板設置於一反應腔體，反應腔體具有一入口以及一出口；提供一金屬催化物於反應腔體中；通入一還原性氣體至反應腔體中；升溫反應腔體至一沉積溫度；通入一含碳的氣體於反應腔體之中；以及金屬催化物將協助含碳之氣體產生複數個碳原子，以沉積於基板上以形成一石墨烯薄膜。本發明之石墨烯薄膜製造方法可於基板上沉積石墨烯薄膜，且具有於後端應用中無需再經過轉移程序之優勢。 A manufacturing method of graphene film includes the following steps: disposing a substrate in a reaction chamber, and the reaction chamber includes an inlet and an outlet; providing a metallic catalytic material in the reaction chamber; aerating a reducing gas into the reaction chamber; rising temperature of reaction chamber to a deposition temperature; aerating a carbon-containing gas into the reaction chamber; and generating a plurality of carbon atom from the carbon-containing gas under the assistance of the metallic catalytic material to deposit on the substrate to form a graphene film.The manufacturing method of graphene film is capable of depositing graphene film on the substrate.　 Preferably, the manufacturing method of the present invention is advantageous for being a transfer-free Process.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址