平面光波導放大器用之高功率及低溫製程鉺、鐿共摻雜氧化鈦薄膜材料 | 專利查詢

平面光波導放大器用之高功率及低溫製程鉺、鐿共摻雜氧化鈦薄膜材料


專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090126444

專利證號

I 226127

專利獲證名稱

平面光波導放大器用之高功率及低溫製程鉺、鐿共摻雜氧化鈦薄膜材料

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2005/01/01

技術說明

本案係為一種以氧化鈦材料來當作母材的鉺、鐿共摻雜氧化鈦薄膜,其藉由鐿離子的共摻 雜,將使得此薄膜所放射出的~1.54μm螢光的發光強度比鉺、鋁共摻雜氧化矽薄膜的螢光強 度強約17倍,且此螢光頻譜的半高寬亦增寬約1.4倍,此外,同時此薄膜亦具有較低的製程 溫度(比鉺、鐿共摻雜氧化矽之製程溫度低~3000℃),故其可應用在積體光學中平面光波導 放大器的製作上。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251


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