發明
中華民國
090126444
I 226127
平面光波導放大器用之高功率及低溫製程鉺、鐿共摻雜氧化鈦薄膜材料
國立交通大學
2005/01/01
本案係為一種以氧化鈦材料來當作母材的鉺、鐿共摻雜氧化鈦薄膜,其藉由鐿離子的共摻 雜,將使得此薄膜所放射出的~1.54μm螢光的發光強度比鉺、鋁共摻雜氧化矽薄膜的螢光強 度強約17倍,且此螢光頻譜的半高寬亦增寬約1.4倍,此外,同時此薄膜亦具有較低的製程 溫度(比鉺、鐿共摻雜氧化矽之製程溫度低~3000℃),故其可應用在積體光學中平面光波導 放大器的製作上。
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