直立式單電子電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093138358

專利證號

I 234556

專利獲證名稱

直立式單電子電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2006/10/09

技術說明

本發明提供一種直立式單電子電晶體及其製造方法，包括一基底，一奈米柱狀堆疊結構於該 基底上，以及一閘極緊鄰該奈米柱狀堆疊結構的側壁，並與該奈米柱狀堆疊結構間夾以一第 一介電層。其中該奈米柱狀堆疊結構包括一源極於該基底上，一第一穿透接合於該源極上， 一奈米浮閘於該第一穿透接合上，一第二穿透接合於該奈米浮閘上，以及一汲極於該第二穿 透接合上。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址