具備非氧化型石墨烯薄膜之光電元件及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103123076

專利證號

I 538250

專利獲證名稱

具備非氧化型石墨烯薄膜之光電元件及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺東大學

獲證日期

2016/06/11

技術說明

本發明敘述一種具備非氧化型石墨烯薄片之光電元件其組成結構與製作方法,結構中由石墨烯薄片所組成的薄膜可使用簡單的旋轉塗佈或浸潤塗佈等方式完成,具備此石墨烯薄片層之元件較之以往相似功能的結構層有較佳的載子傳輸特性及透光率,因此有效提升元件效率 本發明中我們使用非氧化型石墨烯薄片,其溶於有機溶劑如乙醇中,使用方式與傳統的有機高分子材料完全相同,製作光電元件時,可塗佈於元件陽極上,達到特定功能,以有機發光二極體為例,具備非氧化石墨烯薄片之元件結構如圖一,首先,以有機溶劑和清潔劑清洗圖案化之透明導電陽極(在此為氧化銦錫)基板,清洗完畢之基板可使用紫外光臭氧或氧電漿處理以增加表面濕潤性,使用旋轉塗佈法將非氧化石墨烯薄片溶液塗佈於基板上,烤乾後即可得連續分布之石墨烯薄膜,再以蒸鍍法或旋轉塗佈法沉積發光層,最後使用蒸鍍法沉積陰極金屬即可完成元件製作 A novel optoelectronic device with a layer of nonoxidizedgraphene sheets is introdued. Different to conventional CVD-derived graphene, the thin films of nonoxidized graphenesheets can be easily deposited by spin-coating or dip-coating. Compared to those films with similar function but made up byother materials, the device with the nonoxidized graphene is with higher transparency and carrier transport capability, therefore, higher efficiency can be achieved.

備註

本部(發文號1100066079)同意貴校110年10月29日東大研發字第1101007627號函申請終止維護專利。(台東大)

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