磊晶基板的分離方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101118043

專利證號

I 462153

專利獲證名稱

磊晶基板的分離方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/11/21

技術說明

提供一種高亮度/高功率發光二極體光學元件結構之磊晶分離(化學分離)基板技術，包含以下步驟：(a)於一磊晶基板上磊製一由氧化鈧所構成的緩衝層；(b)於該步驟(a)後，於該緩衝層上磊製一磊晶膜層結構，該磊晶膜層結構是由一以氮化鎵為主的材料所構成；(c)於該步驟(b)後，於該磊晶膜層結構上貼合一散熱基板；及(d) 於該步驟(c)後，以該緩衝層作為一犧牲層，利用一濕式蝕刻劑移除該犧牲層以使該磊晶膜層結構自該磊晶基板分離。該濕式蝕刻劑是一選自下列所構成之群組的酸劑：硝酸、鹽酸、氫氟酸，及前述酸劑的一混合物。 A method of the epitaxial lift-off (ELO) or chemical lift-off (CLO) techniques for high brightness/high power (HB/HP), white (blue) solid-state lighting includes a Sc2O3 sacrificial buffer with the substrate as a template for growing light emitting diodes (LEDs). The sacrificial Sc2O3 film serves as an intermediate buffering layer, which can be selectively etched to form substrate-free LEDs. Thus, the process of transferring free-standing LEDs onto a conductive substrate can be executed to form HB/HP LEDs.

備註

本部(文號1090000062)同意該校108年12月31日興產字第1084300814號函申請終止維護專利(中興)

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