電場產生基板及包含其的液晶透鏡 | 專利查詢

電場產生基板及包含其的液晶透鏡


專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

108115640

專利證號

I 741290

專利獲證名稱

電場產生基板及包含其的液晶透鏡

專利所屬機關 (申請機關)

國立陽明交通大學

獲證日期

2022/10/01

技術說明

液晶材料具有優秀電光特性,液晶可以被外加電場輕易地改變其光學特性,因此液晶對於聚焦透鏡或是偏轉透鏡的應用上,是個理想材料。液晶透鏡基本原理是透過外加電壓,使液晶分子產生偏轉,入射液晶透鏡的偏振光,因而體驗到不同的有效折射率,產生光程差,達到使入射光聚焦或偏轉目的。不管要讓液晶透鏡產生聚焦或偏轉效果,都需要讓液晶盒內的液晶有漸變折射率分布,因此發展出許多建立電場的結構與方式,使液晶偏轉方向改變。例如讓UV光通過具有週期性變化灰階的光罩[1], [2](photomask with a spatially periodic grayscale),因此通過光罩的UV光會有不同強度變化,照在一層光導聚合物(photoconductive polymer layer)或是液晶與聚合物(polymer)的混和物中,聚合物因而有不同的濃度,當外加均勻電場於液晶盒內,造成液晶盒內有漸變電場產生(Fig. 1),或是使液晶有不同的起始電壓(Fig. 2),因而液晶有不同偏轉方向,光通過液晶盒,體驗到鋸齒狀的折射率,光因而產生偏轉。此種技術製成過程雖然不複雜,驅動電壓不大(低於10.5 V),但此種技術具有不可回復性,只能將光往一個方向偏轉,例如將光往+X方向偏轉,必須將液晶盒轉向,才能將光偏轉至-X方向,因此如果要藉由改變電場,將光偏轉至不同方向,此種技術是比較不適合的。多環電極結構是另一種被廣泛利用的技術,經過反覆微影、蝕刻出具有多環電極結構的基板[3], [4],藉由分別給每一個電極適當電壓,使液晶盒內有漸變電場分布,入射光因而產生光程差,使光達到聚焦效果,此方法可以個別控制每個電極電壓,使液晶能偏轉至適當方向,但此種技術一直有著製成程序複雜的缺點,而且要控制個別電極電壓,驅動電路也是個需要考慮的問題,因此在我們之前提出的多環電極結構(Fig. 3)[5],在蝕刻好的基板上,將左邊電極與中心電極間,利用氣溶膠噴墨技術,噴上PEDOT:PSS作為電阻連接,而右邊電極用導線(ITO)通過每環電極開口直接與中心電極連接,給定左邊電極高電壓,右邊電極接地,電壓因此由外圍多環電極往中心電極遞減,液晶盒內外圍電極與中心電極間產生漸變折射率,此結構使基板製程程序大大減化,且只需給予左右電極電壓,減少驅動電路複雜度。建立在我們之前提出結構上,將多環電極改成數組平行線電極,同樣使用PEDOT:PSS作為電阻,在每組平行線電極內產生鋸齒狀的電場分布,使入射光通過液晶盒產生相位差,進而偏轉入射光,希望能達到簡單的製程程序與簡化驅動供應的目的。

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