操作於次臨界區之低功率溫度感測器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098139180

專利證號

I 387736

專利獲證名稱

操作於次臨界區之低功率溫度感測器

專利所屬機關 (申請機關)

國立彰化師範大學

獲證日期

2013/03/01

技術說明

本揭示內容揭露一種操作於次臨界區之低功率溫度感測器，主要係由一第一場效電晶體、一第二場效電晶體所組成。其中，第一場效電晶體之汲極與閘極係電性連接一電源，第一場效電晶體之源極係電性連接第二場效電晶體之閘極，且第二場效電晶體係操作於次臨界區，第二場效電晶體所產生之次臨界電流與絕對溫度成正比例相關。又本另一實施方式使該次臨界電流可對一環型振盪器產生偏壓，使該環型振盪器產生一與絕對溫度成正比例之脈波頻率訊號來反映溫度。 The disclosure relates to a low power temperate sensor operated in sub-threshold region. The low power temperate sensor consists essentially of a first field effect transistor (FET), a second FET and a ring oscillator. The drain and the gate of the first FET connect a power source VDD, and the source of the first FET connects the gate of the second FET. The source of the second FET connects the power source VDD, and the drain of the second FET connects the ring oscillator. The first FET and the second FET are operated in the sub-threshold region. Therefore, the second FET provides a sub-threshold current IPTAT that proportion to absolute temperature to bias the ring oscillator. And thus, the ring oscillator generates a pulse signal that corresponding to the temperature.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

04-7232105轉1858

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