靜態隨機存取記憶體之讀取延遲補償電路

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103120950

專利證號

I 533301

專利獲證名稱

靜態隨機存取記憶體之讀取延遲補償電路

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2016/05/11

技術說明

一種靜態隨機存取記憶體之讀取延遲補償電路包含一SRAM細胞模組、一比較器及一補償電路，該SRAM細胞模組提供一漏電流訊號，該比較器接收該漏電流訊號及一參考訊號，該比較器比較該漏電流訊號及該參考訊號之大小而輸出一警訊訊號，該補償電路具有一第一電晶體及一第二電晶體，該第一電晶體接收該警訊訊號，該第二電晶體連接該靜態隨機存取記憶體之一位元線，該靜態隨機存取記憶體之一互補位元線經由該第一電晶體及該第二電晶體連接一電源端，當該SRAM細胞模組受到漏電流影響時，該比較器輸出之該警訊訊號啟動該補償電路，以補償該靜態隨機存取記憶體因漏電流而產生的讀取延遲。 A read delay compensation circuit for SRAM (static random access memory) includes an SRAM cell module, a comparator and a compensation circuit. The SRAM cell module provides a leakage current signal, the comparator receives the leakage current signal and a reference signal to compare the amplitude of the leakage current with the reference signal and send a warning signal. The compensation circuit comprises a first transistor and a second transistor, wherein the first transistor receives the warning signal, the second transistor coupled with a bit line of the SRAM, and a complementary bit line of the SRAM coupled with a power supply terminal via the first transistor and the second transistor. When the SRAM cell module is suffered from the leakage current, the warning signal, which is sent by the comparator, will start the compensation circuit to compensate the read delay caused by the leakage current.

備註

本部(第1080005689號)同意該校108年01月21日中產營字第1081400090號函申請終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

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