酸鹼度感測器之製備方法，所製備的酸鹼度感測器、含有該酸鹼度感測器之系統以及量測方法Preparation of a pH sensor, the prepared pH sensor, systems comprising the same, and measurement using the systems

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094138243

專利證號

I 295729

專利獲證名稱

酸鹼度感測器之製備方法，所製備的酸鹼度感測器、含有該酸鹼度感測器之系統以及量測方法Preparation of a pH sensor, the prepared pH sensor, systems comprising the same, and measurement using the systems

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2008/04/11

技術說明

酸鹼度感測器之製備方法，所製備之酸鹼度感測器，含有該酸鹼度感測器之系統以及量測方法。上述酸鹼度感測器係一延伸式閘極離子感測場效電晶體結構。上述酸鹼度感測器之製備方法包括以下步驟：提供一延伸式閘極離子感測場效電晶體，其具有一延伸閘極區域；以射頻濺鍍法於該延伸閘極區域上形成一氮化鈦層，以得到一酸鹼度感測器。 Preparation of a pH sensor, the prepared pH sensor, systems comprising the same, and measurement using the systems. The pH sensor is an extended gate field effect transistor (EGFET) structure. The preparation includes the steps of providing an extended gate ion sensitive field effect transistor comprising an extended gate region, forming a titanium nitride film on the extended gate region by RF sputtering to obtain a pH sensor.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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