具銅金屬化之複合物半導體元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094111148

專利證號

I254419

專利獲證名稱

具銅金屬化之複合物半導體元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2006/05/01

技術說明

一般複合物半導體元件如MSEFET、HEMT、HBT等的內連接導線層及傳輸線是使用Ti當作附著層，以金作為導電層，而傳 統的N型歐姆接觸、P型歐姆接觸常使用Au-metallized ohmic system。但使用同具有比金優異的特性，如低電阻值、 高熱傳導特性及成本低等優勢，本發明使用銅金屬化的歐姆接觸結構且以銅導線取代金作為內連接導線，將可以使傳 輸速度增快，並且也可以降低成本。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址