一種製造有機薄膜電晶體之方法及其成品

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094128700

專利證號

I 307169

專利獲證名稱

一種製造有機薄膜電晶體之方法及其成品

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2009/03/01

技術說明

本發明係一種製造有機薄膜電晶體之方法，主要係由一基板、一閘 極電極、一介電層、一汲極與源極電極與有機主動層所組成之有機 薄膜電晶體，以低溫濺鍍方式沈積高介電常數材料二氧化鉿(HfO2) 作為有機薄膜電晶體之介電層，利用高介電常數材料二氧化鉿 (HfO2)可以得到較高電容值，而有機薄膜電晶體的工作方式便是透 過於閘極施加一直流偏壓，在有機主動層累積電荷感應出通道，而 電荷量提升時，便可將施加之操作電壓降下來。另外由於整個製程 的流程為低溫濺鍍(PVD)，所以也可以將有機薄膜電晶體元件製作於 軟性基板上，應用於軟性電子產品。

備註

本部(收文號1050015995)同意該校105年2月26日長庚大字第1050020336號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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