發明
中華民國
099121843
I 460037
以低溫共沈澱法製作透明導電金屬氧化物粉末之方法
長庚大學
2014/11/11
本發明為針對現有共沉澱法製備掺雜固定成份比例之多成份透明導電金屬氧化物粉末,在沉澱時所衍生之成份組成不正確及成份不均勻的問題進行解決,以製備所需掺雜特定雜質成份之金屬氧化物粉末的方法。本發明之低溫改良式共沉澱法乃先將所需的金屬或金屬鹽類利用酸等溶劑溶解形成所需的金屬離子溶液,再取適當量之主成分金屬與掺雜金屬的離子溶液進行混合,以形成含所需成份比例之金屬離子的前驅溶液,然後經由沉澱劑添加條件及沉澱溫度的控制、兩階段沉澱及陳化等新增步驟,在低溫的條件下進行共沉澱反應,最後將所得的沉澱物經過水洗、過濾、乾燥及煆燒等程序來獲得所需特定成分比例之多成份透明導電金屬氧化物粉末。本發明經由沉澱劑添加條件及沉澱溫度的控制、兩階段沉澱及陳化等新增步驟,除了可在沉澱期間將合成及細化一併完成,同時也可精確地控制粉末成份組成及粉末成份分佈均勻性,提高製程中所獲得的透明導電氧化物粉末性質,也提高了後續以此粉末製備的透明導電氧化物靶材及薄膜材料的性質。 This invention relates to a method that can resolve the problems of incorrect composition and in-homogeneity of the multi-component transparent conductive metal oxide powders prepared by the existing co-precipitation methods and that can be used to prepare multi-component transparent conductive metal oxide nano-powders with precise composition. The proposed invention not only produce multi-component metal oxide nano-powders with correct composition and enhanced chemical homogeneity but also retain the advantages of existing co-precipitation methods such as reduced particle size, enhanced powder homogeneity. With these property-improved multi-component transparent conductive metal oxide nano-powders, the properties and the quality of the sputtering targets and thin films can be further enhanced.
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