Flash memory with multiple control gates and flash memory array devicemade thereof

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/213,713

專利證號

US 10,622,451 B1

專利獲證名稱

Flash memory with multiple control gates and flash memory array devicemade thereof

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2020/04/14

技術說明

一種非揮發型（快閃）半導體記憶體元件，應用於類神經網路電路陣列。此新型之記憶體元件具有獨立操控之雙閘極之結構，改良傳統快閃記憶體元件，將單位面積儲存資訊加倍。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址