製造二氧化錫閘極酸鹼離子感測場效電晶體之方法及測量其溫度參數、時漂、遲滯之方法與裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/419937

專利證號

US 6905896B2

專利獲證名稱

製造二氧化錫閘極酸鹼離子感測場效電晶體之方法及測量其溫度參數、時漂、遲滯之方法與裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2005/06/14

技術說明

本發明係使用溶膠-凝膠法製造二氧化錫薄膜於酸鹼離子感測場效電晶體上，以 形成一二氧化錫閘極酸鹼離子感測場效電晶體，並利用一電流-電壓量測系統對 具有該二氧化錫/二氧化矽雙層結構之酸鹼離子感測場效電晶體，在不同的操作 溫度及pH值下量測其電流-電壓曲線，進而由這些電流-電壓曲線與溫度的關 係，可得到該二氧化錫酸鹼離子感測場效電晶體之溫度參數。此外，本發明亦 利用一恆壓恆流電路與一電壓-時間記錄器記錄該二氧化錫酸鹼離子感測 場效電晶體之閘極電壓，並計算該二氧化錫酸鹼離子感測場效電晶體於不同pH 值之時漂量與不同pH迴路之遲滯寬度。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

網址