發明
中華民國
090127836
I 166577
鐵電元件之結構
財團法人國家實驗研究院
2002/11/01
一種鐵電元件之結構,此結構是由一電晶體、一絕緣體、一附著層與一鐵電薄膜電容所組 成。其中,電晶體位於基底上。絕緣層位於基底之表面,且絕緣層中具有一插塞。附著層位 於絕緣層上,且附著層之材質為鉭金屬。鐵電薄膜電容位於附著層上,此鐵電薄膜電容是由 一下電極層、一鐵電薄膜層、與一上電極層所組成,且鐵電薄膜電容藉由一插塞與基底上之 電晶體電性連接。由於鉭金屬具有良好之附著性與擴散阻絕性,且鉭金屬在熱處理過程中, 並不容易擴散。因此,可以得到具有良好特性之鐵電記憶體。
1. 計畫來源:科技部公務預算-奈米元件研究與技術人才培育服務計畫(計畫主持人:施敏) 2. 發明人:呂正傑、簡昭欣、楊明瑞、楊閔智、胡塵滌、黃調元 本部(收文號1050055769)同意該院105年8月2日國研業字第1050102117號函申請終止維護專利24件(國研院)
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