離子佈植系統以及監控離子佈植裝置中佈置能量的方法Ion implantaion system and method of monitoring implant energy of an ion implantation device

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/193,319

專利證號

US 7,663,126 B2

專利獲證名稱

離子佈植系統以及監控離子佈植裝置中佈置能量的方法Ion implantaion system and method of monitoring implant energy of an ion implantation device

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2010/02/16

技術說明

利用電漿中的離子受到高電壓加速之下所產生之紅外線發射光譜之頻率位移作原位且非破壞 性監測電漿浸沒離子植入晶片之深度。

備註

本部(收文號1050019607)同意該校105年3月21日原產字第1050000809號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作暨專利技轉中心

連絡電話

(03)2651830

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