具三元成分之電荷儲存層的非揮發性記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095126929

專利證號

I 304269

專利獲證名稱

具三元成分之電荷儲存層的非揮發性記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2008/12/11

技術說明

近年來非揮發性記憶體(nonvolatile memory)在市場上受到很大的重視，並具有很大的市場效 益，但是卻有它本身的極限。最大的問題在於當元件尺寸持續微小化的時候，此結構是否仍保 有其元件特性。當元件持續地微小化的同時，穿隧氧化層(tunneling oxide)也將要微小化， 這對記憶體元件將是一個問題。穿隧氧化層需要多次且快速地讀寫，所以穿隧氧化層則得具備 有較優越的隔絕能力當經過多次的讀寫，容忍性(endurance)以及分立(distributed)的特性來 維持電荷的儲存。

備註

依據103年4月30日該校來函申請終止維護並經本部同意(收創文號1030031427)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址