具有奈米條狀結構之發光元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096124325

專利證號

I 415292

專利獲證名稱

具有奈米條狀結構之發光元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2013/11/11

技術說明

本發明之特點為製作奈米條狀結構於GaN上，不同於以往的利用半導體製程技術在磊晶完後，在表面製作出奈米結構， 而是利用圖案化藍寶石基板於磊晶過程中，直接在表面成長出奈米條列之奈米結構，可以藉此提高量子井之發光效率。 另外，於穿透式顯微鏡下的觀察可以看出來該奈米結構不具有典型存在於三族氮化物半導體之差排，此到為提高發光效 率之主要因素。由於半導體製程技術已經相當成熟，適合於大量製造，未來必可利用此一技術來提升發光二極體之發光 效率。

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

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