氧化物薄膜電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105128019

專利證號

I 611587

專利獲證名稱

氧化物薄膜電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

明新學校財團法人明新科技大學

獲證日期

2018/01/01

技術說明

自我對準之上部閘極a-IGZO TFT元件結構均會在IGZO通道層有一段多餘的源-汲極延伸區域形成，造成較大的RSD的問題與短通道效應。有鑑於此，在進行上部閘極自我對準IGZO元件結構設計時，當通道長度微縮到次微米尺寸時，應降低閘極電極到源-汲極延伸區域，以降低元件RSD接觸電阻與短通道效應；另外，本發明藉由挖空contact區域以增加電極與 a-IGZO半導體層之接觸面積，並進而降低接觸電阻RSD，亦可以變更第三道光罩與第四道光罩的順序製作元件，同時可以省略第三道微影製程，依此元件製作更具有節省時間與成本之優勢。 The present invention provides an Oxide thin-film transistor, Wherein the oxide thin film transistor with the special hollowed out the passivation layer within the source (S) and drain (D) electrode in order to increase the contact area of the source and the drain electrode contact area between the channel layer, and thus reduce the contact resistance (RSD), wherein the contact region of S / D pad area to gate electrode is maintained a distance of 2um.

備註

本會(收文號1120042859)同意該校112年7月5日明新(產)字第1120006948號函申請終止維護專利(明新科技大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學及技術移轉中心

連絡電話

03-5593142 轉2617

網址