電阻式記憶體Resistance Random Access Memory

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104103720

專利證號

I 587496

專利獲證名稱

電阻式記憶體Resistance Random Access Memory

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2017/06/11

技術說明

習知電阻式記憶體隨著面積的微縮，其形成電壓將隨之升高，進而造成在集成電路上操作之問題，本發明揭示一種電阻式記憶體，用於解決習知電阻式記憶體的形成電壓降低導致工作異常之問題，該電阻式記憶體包含：一第一電極層；一第一介電層，設於該第一電極層；一第二介電層，設於該第一介電層，該第二介電層的介電常數與該第一介電層的介電常數不同；及一第二電極層，設於該第二介電層。利用電場集中於低介電常數之特性，藉此，可確實解決上述問題。 This invention discloses a resistance random access memory which is used to solve a problem of a forming voltage of the known RRAM dropped to bring about abnormal operation. The resistance random access memory comprises a first electrode layer, a first dielectric layer, a second dielectric layer and a second electrode layer. The first dielectric layer is mounted on the first electrode layer. The second dielectric layer is mounted on the first dielectric layer, and a dielectric constants of the second dielectric layer and the first dielectric layer are different. The second electrode layer is mounted on the second dielectric layer. Thus, it can actually resolve the said problem.

備註

本會(收文號1120009552)同意該校112年2月16日中產營字第1121400144號函申請終止維護專利(國立中山大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址