以紫外光照射提高矽基表面原生氧化層品質之裝置與方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106105430

專利證號

I 614505

專利獲證名稱

以紫外光照射提高矽基表面原生氧化層品質之裝置與方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2018/02/11

技術說明

一種以紫外光照射提高矽基表面原生氧化層品質之快速、低成本裝置與方法，本發明係以深紫外光照射輔助矽基材表面原生氧化層之成長，有效改善矽基材表面之原生氧化層品質，可大幅降低橫截面樣品在表面處理上之困難，並可提高樣品生命期與可靠度，以及提高掃描電容顯微術（scanning capacitance microscopy, SCM）之量測再現性。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址