半導體元件結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096130880

專利證號

I 357108

專利獲證名稱

半導體元件結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2012/01/21

技術說明

以不同幾何形狀的介電質材料置入高壓元件內,改變元件內部電場分佈,以提高元件耐受電壓的 能力,以及降低其導通時的電阻值。 利用淺/深溝渠(shallow and/or deep trench)等製程技術進行。

備註

本部(收文號1050080009)同意該校105年10月5日清智財字第1059005183號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址