設計奈米晶體結構之前處理方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099111106

專利證號

I 444845

專利獲證名稱

設計奈米晶體結構之前處理方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/07/11

技術說明

中文摘要:本發明係提供一種設計奈米晶體結構之前處理方法, 該方法係用以取得一奈米晶體結構在與光作用後，其在空間中的電場與磁場分佈。該前處理方法係包括：步驟A：定義出一奈米晶體結構與光交互作用後，所產生之電磁場與該奈米晶體結構之晶體晶格大小、晶格排列與邊界長度之間的關係；以及步驟B：根據步驟A所定義之關係，求出該電磁場的波形。利用上述之方法，可以取得奈米晶體結構與光交互作用後之電磁波遠場與近場分佈，進而設計出光與奈米晶體結構表面作用之相關應用的最佳奈米表面之晶體結構。 This invention is an pre-method of design nano-structure.It can display very precisely the spacial distribution of electric and magnetic fields after the interaction between light and nano-structrue.The procedures include:step A:The electromagnetic field is related to the lattice size, lattice arrangement and boundary length.Step B:According to step A,we can display very precisely the spacial distribution of electric and magnetic fields after the interaction between light and nano-structrue and then we can calculate the opimized nano-structure for applications.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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