黃銅礦(chalcopyrite)粉末之製法FABRICATION METHOD FOR CHALCOPYRITE POWDER

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/813,403

專利證號

US 8,057,781 B2

專利獲證名稱

黃銅礦(chalcopyrite)粉末之製法FABRICATION METHOD FOR CHALCOPYRITE POWDER

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2011/11/15

技術說明

半導體材料具有特殊的能階大小(band gap)，可藉由調控材料組成而改變半導體之能隙，因此可將其應用作為光電元件(photoelectronic device)之光吸收層。於各種半導體材料中，其中以具有黄銅礦(chalcopyrite)結構的ⅠB-ⅢA-ⅥA族化合物特別受到重視，其可製成薄膜應用於硒化銅銦鎵太陽電池(Cu(In,Ga)Se2, CIGS)中，且具有不錯的光電轉換效率。本發明提供一種黄銅礦(chalcopyrite)粉末之製法，包括以下步驟：(a) 混合含有IB族與ⅢA族之化合物於一溶劑中；(b) 將步驟(a)之溶液進行一乾燥或沉澱步驟以獲得一含有IB族、ⅢA族之前驅物(precursor)；(c) 將一含有ⅥA族化合物之溶液或粉末與該前驅物混合；以及(d) 將步驟(c)之混合物進行熱處理以得到該黄銅礦粉末。 The invention provides a fabrication method for chalcopyrite powder, comprising: (a) mixing a Group IB compound and a Group ⅢA compound in a solvent; (b) drying or precipitating the solution of step (a) to obtain a precursor containing Group IB and Group ⅢA elements; (c) mixing a solution or powder containing a Group ⅥA compound with the precursor; and (d) heating the mixture of the step (c) to obtain the chalcopyrite powder.

備註

本部(第1080018808號)同意該校108年03月20日校研發字第1080019626號函申請終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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33669945

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