電光准相位匹配主動式Q調制雷射系統

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/866,777

專利證號

US 7,433,373 B2

專利獲證名稱

電光准相位匹配主動式Q調制雷射系統

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2008/10/07

技術說明

本案係關於一種Q調制(Q-switched)雷射，其主要利用一准相位匹配(Quasi-Phase MatChed, QPM)晶體優越的電光(electro-optic)偏極效應為Q調制器，於一光偏極依存(Polarization dependent)雷射共振腔內，施加特定調變電場於該准相位匹配晶體，使雷射光偏極旋轉而調 變共振腔於高增益與高損失兩種狀態，達成雷射Q調制。相較傳統電光式Q調制雷射，本式發 明特色為低調制電壓及快速調制率。本案另關於一種電光准相位匹配Q調制波長轉換及可調雷 射，其主要是耦合一准相位匹配晶體同時為雷射電光Q調制器及非線性波長轉換器，於光偏極 依存雷射共振腔內，利用腔內高強度Q調制雷射，作高效率波長轉換，並降低系統對整體泵浦 功率之需求。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址