具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

大陸

專利申請案號

201110428930.3

專利證號

ZL 201110428930.3

專利獲證名稱

具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/12/17

技術說明

一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，製備一第一基板，接著，於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層，該氧化鎵犧牲層滿足GaOx，其中0.1

備註

本部(收文號1090023163)同意該校109年4月20日興產字第1094300209號函申請終止維護專利(中興)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

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