電子電路

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102128747

專利證號

I 505634

專利獲證名稱

電子電路

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2015/10/21

技術說明

一種電子電路包含一偏壓電路、一P型輸入級及一N型輸入級，該P型輸入級之一第一P型電晶體及一第二P型電晶體分別藉由齊納二極體限制閘極端及源極端之間的電壓，使該第一P型電晶體及該第二P型電晶體可符合高壓製程之限制，該N型輸入級之一第一N型電晶體及一第二N型電晶體亦分別藉由齊納二極體限制閘極端及源極端之間的電壓，使該第一N型電晶體及該第二N型電晶體可符合高壓製程之限制。 為了實現一種可能的解決方案，使用高壓半導體製程來實作電池互聯模組，此種製程對高壓元件有特殊限制，亦即高壓元件的閘極與源極之間的電壓限制。 An electronic circuit includes a bias voltage circuit, a P-type input stage and a N-type input stage. A first P-type transistor of the P-type input stage and a second P-type transistor of the P-type input stage limited the voltage between gate and source by the zener diode respectively to achieve the first P-type transistor and the second P-type transistor fit the high voltage process. A first N-type transistor of the N-type input stage and a second N-type transistor of the N-type input stage limited the voltage between gate and source by the zener diode respectively to achieve the first N-type transistor and the second N-type transistor fit the high voltage process.

備註

本部(收文號1070053496)同意該校107年7月27日中產營字第1071400785號函申請申請終止維護專利

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