規則排列金屬層之製造方法METHOD FOR PRODUCTION OF REGULARLY ARRANGED METAL LAYER

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100121656

專利證號

I 426161

專利獲證名稱

規則排列金屬層之製造方法METHOD FOR PRODUCTION OF REGULARLY ARRANGED METAL LAYER

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/02/11

技術說明

一種規則排列金屬層之製造方法，包含下列步驟。將基材浸置於一電解水溶液中，其中基材之表面未經過改質，此電解水溶液包含金屬離子。然後，利用線性伏安掃描法施加電流於此基材，以使金屬離子於基材上形成規則排列具方向性之單晶金屬層。本發明之製造規則排列金屬層方法，其優點在於排除使用任何模具，只需使用線性掃描伏安法，藉此輕易於表面未經改質之基材上合成規律方向排列的金屬層。因此，可有效控制合成金屬之良率與產率，且降低合成時間，並可多方面應用。例如：表面增強拉曼散射(Surface Enhanced Raman Scattering；SERS)、氣體感測器、催化劑、鋰離子電池、光學裝置和燃料電池等。 A method for producing a regularly arranged metal layer is disclosed. The method includes following steps. An unmodified substrate is immersed into an electrolyte solution containing a metal ion. A current is applied to the unmodified substrate by using a linear sweep voltammetry technique and then the monocrystalline metal layer is formed in a regular and oriented arrangement on the surface of the unmodified substrate.

備註

本部(收文號1080029338)同意該校108年5月10日興產字第1084300302號函申請終止維護專利

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