提高發光二極體發光效率之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101101283

專利證號

I 497754

專利獲證名稱

提高發光二極體發光效率之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2015/08/21

技術說明

一種提高發光二極體發光效率之方法，以適當的酸性溶液與金屬氧化物半導體之混合成長溶液，在室溫條件中以簡易且低溫之成長粗化層方式，應用在以氮化鎵為主之發光二極體上，形成具有粗化層之發光二極體，即可使光子從發光層發出後，由於導電層與空氣之間具有粗化層可改變光子的出光角，使更多的光子逃脫而增加光的散射與漫射機率，因此具有高發光強度且更好的發散角度，進而提升萃取效率乃至發光效率。為達成上述目的，本發明提供一種提高發光二極體發光效率之方法，所述發光二極體係使用氮化鎵材料形成之一發光層，並具有透明之一導電層設於該發光二極體之發光方向上，所述方法包含有以下步驟： a. 提供一稀釋之酸性溶液及一透明金屬氧化物半導體； b. 將該透明金屬氧化物半導體之粉末溶解於該酸性溶液且達到飽和，以形成一成長溶液； c. 提供一恆溫槽使該恆溫槽維持攝氏23～30度範圍內之溫度，並於該恆溫槽中置入該成長溶液，且靜置上述發光二極體於該成長溶液中；以及， d. 監控該發光二極體之導電層上形成之一金屬氧化物半導體薄膜，使經特定時間或達特定厚度後形成一粗化層。 The growth of RCLEDs will be fabricated by the corporative company. The device structure of RCLEDs include Si-doping n-type AlGaAs/AlAs distributed Bragg reflector (DBRs), AlGaInP/GaInP multiple-quantum-wells (MQWs) and Zn-doping p-type AlGaAs/AlAs DBRs. Well-designed DBRs will concentrate the emission spectrum and linewidth. Generally speaking, the DBRs should be designed a high tolerance for thickness error and well-controlled refractive index for DBRs` layer in RCLEDs. There are two methods to fabricate DBRs including fixed composition and graded composition for AlGaAs/AlAs material. A textured surface proposed by zinc oxide was introduced to the RCLED or InGaN/GaN LED to enhance the external efficiency.

備註

本部(收文號1070068280)同意該校107年9月26日虎科大智財字第1073400101號函申請申請終止維護專利

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